طراحی یک تقویت کننده فراپهن باند کم نویز با تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی در تکنولوژی 0.18 µm cmos

تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کم نویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آن ها است. از این رو از فناوری cmos به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع بالا در ساخت تقویت کننده های کم نویز در رنج فرکانسی اولترا واید باند استفاده می شود. تاکنون تقویت کننده های کم نویز مبتنی بر تکنینک های مختلف طراحی و ساخته شده است اما هنگاهی که بحث مجتمع سازی تقویت کننده های کم نویز مطرح می شود، مشکلات عدیده حل نشده ای مانند عدم تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی به دلیل وجود عناصر پارازیتی در هنگام ساخت و توان تلفاتی بالا به وجود می آید. در این پایان نامه دو تقویت کننده کم نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس مناسب همراه با عدد نویز کم طراحی شده است. اساس این تقویت کننده ها بر روش فیدبک دوگانه استوار است. در این تقویت کننده ها با استفاده از دو فیدبک سری و موازی در طبقه ورودی، تطبیق امپدانس باند وسیع ایجاد شده است. شبکه فیدبک بکار رفته در این تقویت کننده ها راکتیو است و از فیدبک مقاومتی به دلیل اتلاف توان و افزایش عدد نویز استفاده نشده است. این شبکه های فیدبک علاوه بر فراهم نمودن شرایط تطبیق امپدانس، پایداری تقویت کننده ها را نیز تضمین می کنند. تقویت کننده های طراحی شده در تکنولوژی tsmc 0.18µm cmos با استفاده از نرم افزار ads و cadence ic design شبیه سازی شده است.